美慌得一米，國(guó)產(chǎn)直線模組刻蝕機(jī)達(dá)到先進(jìn)水平。前段時(shí)間有個(gè)大熱的梗，我是梅西，我現(xiàn)在慌得一逼；由這個(gè)梗網(wǎng)友衍生出很多搞笑段子，我是梅業(yè)績(jī)，我現(xiàn)在慌得一米；我是梅飯吃，我現(xiàn)在慌得一米。當(dāng)下這位慌得一米的是近期跟我國(guó)打貿(mào)易戰(zhàn)的美，因為國(guó)產(chǎn)直線模組刻蝕機(jī)達(dá)到先進(jìn)水平，美被迫放棄對(duì)中國(guó)禁運(yùn)刻蝕機(jī)。

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來(lái)講，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

刻蝕機(jī)的工作原理可以分為干刻、濕刻兩大類。其中濕刻是將硅片浸泡在可以與被刻蝕膜層反應(yīng)的化學(xué)液體中，除去不需要的部分，是早期工藝采用較多的方法。不過(guò)，濕刻不可避免的會(huì)在刻蝕的側(cè)壁形成橫向鉆蝕，無(wú)法很好的控制線寬，所以，在工藝達(dá)到微米級(jí)以后，生產(chǎn)中更多的是采用沒有液體參與的干刻技術(shù)，如直直線模組激光刻蝕機(jī)。

直線模組激光刻蝕適用與晶硅效率高太陽(yáng)能電池片邊緣絕緣線的刻蝕，設(shè)備一般采用效率高的激光器、大理石加工機(jī)座、自動(dòng)上下料機(jī)構(gòu)、直線模組工作平臺(tái)、CCD視覺定位，實(shí)現(xiàn)離線全自動(dòng)封閉式的效率高的太陽(yáng)能電池片的邊緣絕緣刻蝕加工。

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